三星的 V-NAND 技术取得了长足的进步，在短短十多年间从 24 层发展到近 300 层。 虽然该公司在进一步扩展方面面临着巨大挑战，但它仍然有信心在 NAND 芯片中安装至少 400 层闪存单元。 如果一切按计划进行，量产将于明年年底开始。三星的第九代280层V-NAND闪存最近才开始量产，首批商用产品预计将于明年上架。 不过，据《韩国经济日报》报道，该公司已经为其第 10 代 400 层 V ...