在电子电路设计与应用中，三极管和MOS管是两种极为重要的半导体器件。它们各自具有独特的特性和应用场景，深入了解它们之间的区别对于正确地选择和使用这些器件至关重要。 一、结构与工作原理 （1）三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件，包括基极（B） ...

预估数值不代表真实净值，仅供参考，实际涨跌幅以基金净值为准。 净值估算平均偏差：近1月净值估算与实际净值偏离度的平均值。 股票仓位测算并不能保证与真实仓位数据相同，仅供参考。实际股票持仓占净值比，每季度定期披露，请查阅基金资产明细表。

JXP2312MRG采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低通态电阻 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐 ...

平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

JXP2302KRG 采用先进的沟槽技术，提供卓越的 RDS（ON）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低 ON 阻值 平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

预估数值不代表真实净值，仅供参考，实际涨跌幅以基金净值为准。 净值估算平均偏差：近1月净值估算与实际净值偏离度的平均值。 股票仓位测算并不能保证与真实仓位数据相同，仅供参考。实际股票持仓占净值比，每季度定期披露，请查阅基金资产明细表。

平台声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息发布平台，搜狐仅提供信息存储空间服务。

推挽电路是通过两个互补型MOS 管的交替工作，将输入信号转换为输出信号。其中，一个MOS 管作为负载管，负责输出电流，另一个MOS 管则作为驱动管，负责控制输出电流的流向。 使用推挽电路就是为了解决MOS管的驱动能力不足及受mos管特性限制的问题。

单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效，接下来先简单回顾一下什么是雪崩。 当MOSFET的漏极-源 ...