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IEEE
7 天
Design Considerations for Sub-1-V 1T1C FeRAM Memory Circuits
Abstract: We present a comprehensive benchmarking framework for one transistor-one capacitor (1T1C) low-voltage ferroelectric random access memory (FeRAM) circuits. We focus on the most promising ...
shangyexinzhi
17 天
存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟
近年来,随着数据存储需求的不断增长,存储技术的革新也在加速发展。特别是在高可靠性和实时性方面,传统的存储器如NOR Flash、NAND Flash、DRAM等存在一定局限性,而FeRAM(铁电随机存储器)凭借高可靠性和无延迟的特性,成为众多行业的关注焦点。 在第12届 ...
中国工控网
20 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 富士通半导体(即将更名为RAMXEED)作为FeRAM产品全球两个主要供应商之一,只专注于高性能 ...
21ic
23 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下,市场对于高性能存储解决 ...
腾讯网
23 天
RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM ...
新浪网
23 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM ...
虎嗅网
23 天
日本存储,新的希望?
相较于传统的DRAM和NAND Flash,新型存储技术如MRAM、FeRAM等,在速度、功耗、耐久性等方面展现出显著优势。这些优势不仅能够满足日益增长的数据存储需求,而且为物联网、人工智能等新兴应用提供了更广阔的发展空间。 铠侠的MRAM之路 在日本的半导体企业中 ...
eeworld.com.cn
24 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代,如铁电存储器FeRAM和ReRAM,以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 2020-2024年全球存储器市场规模及增速 富士通半导体(即将更名为RAMXEED)作为FeRAM产品全球 ...
搜狐
27 天
冯逸新详解FeRAM:为高可靠应用提供无迟延保障
在当今快速发展的科技浪潮中,存储技术的选择和应用显得尤为重要。近日,在深圳湾万怡酒店召开的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会中,RAMXEED总经理冯逸新带来了关于FeRAM(铁电随机存取存储器)的主题演讲,强调了其在高可靠性与无迟延应用中的重要 ...
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