Abstract: We present a comprehensive benchmarking framework for one transistor-one capacitor (1T1C) low-voltage ferroelectric random access memory (FeRAM) circuits. We focus on the most promising ...

在当今快速发展的科技浪潮中，存储技术的选择和应用显得尤为重要。近日，在深圳湾万怡酒店召开的第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会中，RAMXEED总经理冯逸新带来了关于FeRAM（铁电随机存取存储器）的主题演讲，强调了其在高可靠性与无迟延应用中的重要 ...

[导读]FeRAM（铁电随机存取存储器）最为独特的优势在于它结合了非易失性和高速写入性能，这种特性是其他存储器无法同时具备的。与传统的DRAM虽然都能实现高速读写，但后者在断电后会丢失数据；而与Flash相比，尽管都具有非易失性，Flash的写入速度却远不及FeRAM ...

近年来，随着数据存储需求的不断增长，存储技术的革新也在加速发展。特别是在高可靠性和实时性方面，传统的存储器如NOR Flash、NAND Flash、DRAM等存在一定局限性，而FeRAM（铁电随机存储器）凭借高可靠性和无延迟的特性，成为众多行业的关注焦点。 在第12届 ...

为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM、阻变式存储器ReRAM等。 富士通半导体（即将更名为RAMXEED）作为FeRAM产品全球两个主要供应商之一，只专注于高性能 ...

为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM ...

为了降低云和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场快速增长的发展大时代，如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁性存储器MRAM ...